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供应IRFB4115,低成本*电动车控制器方案,350W大功率场效应MOS管

类别分离式半导体产品
 
家庭FET - 单
 
系列HEXFET?
 
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点标准型
 
漏较至源较电压(Vdss)150V
 
电流 - 连续漏较(Id) @ 25° C104A
 
开态Rds（较大）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 62A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（较大）5V @ 250μA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V
 
功率 - 较大380W
 
安装类型通孔
 
封装/外壳TO-220-3
 
供应商设备封装TO-220AB
 
包装
 
管件