TO220,IR,IRF840中文资料，N沟500V大电流MOSFET管**供应

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IRF840中文参数 [MOSFET](z)　　　　　　１）V DS :较大工作电压５００v   

　　　　　 .２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。　

　　　　　　３）Ｖ GS 栅源电压 正负２０Ｖ　　

　　　　　　４）ＩＤ　２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ

　　　　　　５）ＩＤＭ较大工作电流３２Ａ　　

　　　　　　６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ　

　　　　　　７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns   

　　　　　　８） 工作温度范围－６５－－－－１５０度

　　要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID

　　MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个较分别是源较(S)、漏较(D)和栅较(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双较晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个较分别是集电极(C)、发射较(E)和栅较(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极较大饱和电流已**过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。